Shin-Etsu Chemical：开发用于后端工艺的半导体封装基板制造设备并寻求新的制造方法
—有助于降低正在进行的小芯片开发的成本—
东京--(美国商业资讯)-- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (TOKYO: 4063)（总部：东京；总裁：Yasuhiko Saitoh；以下简称“Shin-Etsu Chemical”）已开发出制造半导体封装基板的设备，后续还将寻求新的制造方法来生产micro-LED制造系统。该设备是一种使用准分子激光的高性能加工设备，它将半导体制造工艺前端中使用的双大马士革法应用于封装基板制造工艺（后端工艺）（以下简称“Shin-Etsu双大马士革法”）。因此，中介层的功能可直接整合到封装基板中。这不仅消除了对中介层的需求，而且还实现了传统制造方法无法实现的进一步微细加工。由于不需要封装基板制造工艺中的光刻胶工艺，它还降低了成本和资本投资。
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小芯片中的电路被分离，然后组装成一个封装。作为一种可降低高性能半导体制造成本的技术，其已经引起了业界的广泛关注。该技术需要将多个小芯片安装在中间基板上并将它们连接起来的工艺。中间基板被称为“中介层”。
有了Shin-Etsu双大马士革法，不再需要中介层，因此组装过程得以大大简化。在这种方法中，小芯片连接到具有与中介层等效功能的布线图案的封装基板。因此，采用小芯片技术的先进半导体的组装过程得以缩短，其成本亦可显著降低。
该设备采用先进的微细加工技术，可直接在多层封装基板的每个有机绝缘层中形成复杂的电路图案，然后通过镀铜形成电路。它使用准分子激光作为光源，批量形成大面积电路图案。Shin-Etsu双大马士革法可实现进一步的小型化微细加工，这是目前使用干膜抗蚀剂的半增材加工(SAP)主流方法无法实现的。结合由Shin-Etsu的大型光掩模坯料制成的光掩模及其独特的特殊镜头，激光加工设备可以一次加工100 mm见方或更大的区域。处理时间因封装基板的尺寸而异，但处理布线图案和电极极板所需的时间与处理过孔所需的时间相同。此外，过孔处理时间与过孔的数量无关。例如，在515 mm × 510 mm的有机基板上形成宽2 μm、深5 μm的沟槽和直径10 μm、深5 μm的电极极板并形成通孔（上直径7 μm、下直径5 μm、深5 μm），大约需要20分钟。
Shin-Etsu Chemical正在制定整合自身材料和设备技术的举措。通过开发新的工艺技术，我们从设备和材料两方面提出整体解决方案，并率先开发下一代技术，为创造富裕社会做出贡献。
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